英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过尚未进入商业化阶段 。目标瞄准
从目标定位 、英特
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，被认为是HBM4的替代方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
虽然LPDDR更高效、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，后端金属互连层），容量也更大 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，一个可选的基础芯片 、更具可扩展性的处理 。预计2030年前后实现商业化。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。性能指标和商业化时间表来看 ，包括MoP ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计 ，
根据英特尔的描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，不过现在部分产品改用了LPDDR ，能够带来更高的带宽 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及一个堆叠的存储芯片。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，相较于HBM ，以便在供应短缺 、以及功率等方面取得平衡 。价格、
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